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基于硅的技术显示了量子信息处理的巨大潜力[1]。硅自旋量子位已被证明是竞争性的固态量子量子系统，具有很长的连贯性时间[2，3]，并且已经证明了误差校正阈值以上的单个和两量子门的保真度[4，5]。与CMOS技术的兼容性允许利用微电子行业的能力在工业铸造厂内建立大规模的Quantum Systems。随着量子系统的扩大规模，在低温下进行量子读数和控制的协整电子已经成为必要[6，7]。硅系统允许在同一芯片上构建控制电子设备和量子实验，并在该方向上提出了一些架构[8，9]，激励了从4 K到Kelvin温度运行的CMOS设备的开发。研究CMOS技术的低温性能已经变得高度相关，并且最近已经建立了将紧凑的建模降至少数开尔文[10，11]。因此，找到创新的，行业兼容的CMOS技术，可以为大规模集成控制电源提供可能性，可用于量子信息过程，这是一个重要的里程碑。目前，仅在polysilicon Gate [12]，FD-SOI [13]和FinFET [14，15] Technologies中，仅在SI-MOS中证明了使用行业标准制造工艺制成的自旋量子。此外，“平面散装晶体管”建筑本身面临着严重的物理问题 -同时，在过去的几十年中，半核行业引入了大量的创新（对于最值得注意的应变工程[16，17]，High-k/Metal Gates（HKMG）简介[17，18] [17，18]，并进行了闸门的整合[17，18]），以追求De-vice de-vice dow-vice downsscalions downssscalions downssscalions sermist'sermist''

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主要关键词

保真度晶体大量的子系统大规模的低温量子严重的 18 建筑控制兼容性控制的重要的 downssscalions 技术过去的行业设备的证明 CMOS 行业标准 vice 提出技术的系统的电子设备晶体管制成的里程碑 17 高度相关自旋 sermist 低温性能兼容的大规模可能性运行的信息处理紧凑的子设备连贯性系统误差校正

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